Молодая японская компания Union Optical Co., LTD., работающая с 2010 года предлагает настольные системы контактной литографии для работы на кремниевых и керамических подложках. Литография в микроэлектронике занимает лидирующую роль среди процессов. Очень часто необходим легкий и простой инструмент для экспонирования фоторезиста. Японская компания Union Optical Co., LTD предлагает настольные установки литографии для НИОКР и среднесерийного производства приборов электроники. Флагманом является установка совмещения экспонирования модель EMA 400.
Габариты установок контактной литографии от японской компании Union очень малы и позволяют их установить в любой лаборатории тонкопленочной технологии или на производстве гибридных микросборок.
Простое выравнивание с помощью микроскопа с разделительным полем (область совмещения изображения с разделенным полем). Микроскоп используется для выравнивания (положения регулировки) между фотошаблоном и пластиной. Подтверждение меток совмещения в двойном поле зрения поможет избежать расхождения между маской и пластиной, и это позволяет совмещать фотомаски (фотошаблоны) большого размера с высокой точностью в модели установки совмещения и экспонирования EMA 400. Стоит отметить что установка контактной литографии EMA 400 относится к настольным системам, но одно из отличий это то, что она имеет Split-Field микроскоп с улучшенной точностью выравнивания (точность выравнивания меньше ± 3 мкм). Раздельная линза объектива от 15 до 75 мм для переменной работы с небольшими аморфными размерами пластин.
Установка совмещения и экспонирования может применяться в производстве гироскопов, СВЧ микросборок, гибридных микросхем, сенсоров и датчиков, а также в конструкторских бюро и при разработках НИОКР. Установка контактной литографии оптимально подойдет для задач, где требуются микронные диапазоны. Все это возможно благодаря специальной конструкции системы экспонирования. Это параллельные направленные лучи света (это дифференциальный и высококачественный объектив для равномерного отображения без неровностей), параллельный угол в 1 степени, чем больше всех лучей света идет параллельно на фотошаблон, тем больше система засветки вступает в силу для воздействия, поверхность линзы похожа на сотовидную структуру.
Равномерность освещения. Интенсивность интегрированного объектива точки измерения, показаны на рисунке, возможно вычислить по формуле = (MAXMIN)/(MAX + MIN) — в пределах ±5%. Выдержка экспозиции может быть достигнута даже в зоне 4 дюймовых пластин. RED LED источник с длиной волны 630 нм используется в качества экспонирования, так как имеет ряд преимуществ по сравнению с обычным освещением: во время выравнивания не подвергается воздействию, поскольку монохроматический свет (красный), Продолжительность жизни дольше, чем обычное освещение, соответственно частота обмена источника света меньше.
Превосходная работоспособность с фотошаблонами с 4-осевой (X, Y, theta и Z) системой и универсальным вакуумным держателем для работы от маленьких размеров до 4 дюймовых пластин. Верхняя крышка опускается как только пластина с фотошаблоном находится в правильной позиции и возможно экспонирование образца.
Ниже показаны полупроводниковые структуры полученные на установке совмещения и экспонирования EMA 400. Показаны образцы с толстопленочным фоторезистом PMER и SU8, а также пластина японской полиграфической компании Toppan.
Параметр |
Значение |
Общее увеличение | 100X |
Диапазон перемещения по X, Y | ± 5 мм |
Регулировка θ | ± 5 ° |
Источник питания | AC 100V 50/60 Гц 15A |
Блок экспонирования | |
Ртутная лампа | 250 Вт |
Площадь экспонирования | 100 мм |
Интенсивность | ± 5% |
Интенсивность излучения при длине волны 405 нм | 20 мВт / см² |
Чтобы получить коммерческое предложение и купить установку совмещения и экспонирования, отправьте заявку на наш электронный адрес info@mivatek.ru или напишите нам через форму обратной связи в разделе Контакты.